FDMS86101 与 BSC077N12NS3 G 区别
| 型号 | FDMS86101 | BSC077N12NS3 G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-FDMS86101 | A-BSC077N12NS3 G |
| 制造商 | ON Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 100 V 55 nC 8 mO Surface Mount PowerTrench® Mosfet - Power56 | 系列:OptiMOS™ |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 5.15mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 7.7mΩ@50A,10V |
| 上升时间 | - | 8ns |
| 漏源极电压Vds | - | 120V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 139W |
| Qg-栅极电荷 | - | 88nC |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 40S |
| 典型关闭延迟时间 | - | 26ns |
| 封装/外壳 | - | 8-PowerTDFN |
| 连续漏极电流Id | - | 98A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 系列 | - | OptiMOS™ |
| 长度 | - | 5.9mm |
| 下降时间 | - | 7ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 15ns |
| 高度 | - | 1.27mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 1,275 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDMS86101 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET | 暂无价格 | 1,275 | 当前型号 | |||||||||||
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STL100N10F7 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET | 暂无价格 | 6,000 | 对比 | |||||||||||
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DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.2W(Ta),139W(Tc) ±20V PowerDI5060-8 -55°C~150°C(TJ) 100V 9.4A(Ta),98A(Tc) |
￥4.6096
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3,946 | 对比 | ||||||||||
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STL100N10F7 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
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BSC077N12NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
120V 98A 7.7mΩ@50A,10V ±20V 139W -55°C~150°C 8-PowerTDFN |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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AUIRFN7110TR | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100V 58A(Tc) ±20V 4.3W(Ta),125W(Tc) 14.5mΩ@35A,10V -55°C~175°C(TJ) PG-TDSON-8 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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